期刊文章详细信息
硫脲在铜阴极电沉积中的作用 ( EI收录)
INFLUENCE OF THIOUREA ON CATHODIC ELECTRODEPOSITION OF COPPER
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]淄博学院材料系
年 份：1999
卷 号：9
期 号：2
起止页码：370-376
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：用电位阶跃法，得出产生光滑铜沉积时硫脲（ＴＵ）的最佳浓度范围为１０ｍｇ／Ｌ。由电解制样，并对样品进行Ｘ射线衍射、ＳＥＭ测试，结果表明，硫脲的存在使沉积表面颗粒细化，但其浓度大于２０ｍｇ／Ｌ时会造成“突出”生长，从而显著影响沉积织构及沉积生长类型。Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析表明，铜沉积中的“硫”主要来自硫脲。
关 键 词：硫脲 电沉积 铜 电解精炼
分 类 号：TF811.044]
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