期刊文章详细信息
W-Cu电子封装材料的气密性 ( EI收录)
HERMETICITY OF WCu COMPOSITES FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中南工业大学材料科学与工程系
基 金：湖南省科委1998年重点科研项目
年 份：1999
卷 号：9
期 号：2
起止页码：323-326
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：分析了传统熔渗法生产的ＷＣｕ材料气密性差的工艺因素，采用加入一定数量的诱导铜的工艺方法进行压型，通过调整成型压力，使生坯中的Ｗ含量达到电子封装ＷＣｕ１５含钨量的标准，其余的Ｃｕ在熔渗时渗入。实验表明，加入１％～２．５％的诱导铜的生坯在１３５０℃熔渗１．５ｈ，其气密性可以达到满意的效果。
关 键 词：电子封装材料 气密性 诱导铜 钨铜合金
分 类 号：TN04] TG146.411[材料类]
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