文献类型：期刊文章

作　　者：张建芳[1] 赵广义[1] 王玉德[1] 王明勇[2] 马玉刚[1] 张慧[1]

机构地区：[1]吉林大学物理学院,长春130012 [2]鞍山师范学院物理系,辽宁鞍山114005

出　　处：《吉林大学学报（理学版）》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:J0730311)

年　　份：2010

卷　　号：48

期　　号：5

起止页码：843-846

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用同轴型高纯锗(HPGe)探测器测量152Eu和133Ba在15cm处的探测效率,调节探测器死层厚度和冷指尺寸,利用Monte Carlo方法对同轴型HPGe探测器的全能峰效率进行模拟计算,并将计算效率与实验效率进行比较.结果表明,当HPGe探测器的死层厚度为0.22cm,冷指半径和长度分别为0.301cm和1.00cm时,模拟效率与实验效率相符。

关 键 词：高纯锗探测器 全能峰探测效率  MONTE CARLO方法 死层厚度  冷指尺寸  

分 类 号：O434.1]