文献类型：期刊文章

作　　者：王学华[1] 陈归[1] 李承勇[1] 杨亮[1] 曹宏[1] 周伟民[2]

机构地区：[1]武汉工程大学材料科学与工程学院,武汉430073 [2]上海市纳米科技与产业发展促进中心,上海200237

出　　处：《材料工程》

基　　金：武汉市青年科技晨光计划资助项目(20065004116-35)

年　　份：2010

卷　　号：38

期　　号：8

起止页码：20-23

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20103713225677)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用二次阳极氧化的方法制备孔高度有序的阳极氧化铝(AAO)为模板,采用交流电化学沉积方法,在AAO模板孔道内制备Cu纳米线。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对Cu纳米线的形貌、晶体结构进行研究。结果表明:模板的孔径均匀,孔道平直。Cu纳米线均匀分布在AAO模板纳米孔隙中,直径均一,并沿Cu(Ⅲ)晶面择优生长;AAO模板孔道生长铜纳米线不光滑,成凹凸状,并对此沉积机理进行探讨。

关 键 词：交流电化学沉积  阳极氧化铝模板 铜纳米线阵列  

分 类 号：O646.6] TB383[化学类]