文献类型：期刊文章

作　　者：傅尚怡[1] 顾牡[1] 刘小林[1] 倪晨[1] 刘波[1] 黄世明[1]

机构地区：[1]同济大学波耳固体物理研究所,上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海200092

出　　处：《光谱学与光谱分析》

基　　金：国家自然科学基金项目(50672068,10875085)资助

年　　份：2010

卷　　号：30

期　　号：9

起止页码：2317-2320

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：测量了不同浓度Li+共掺杂下GdTaO4∶Eu3+荧光粉材料的X射线衍射谱(XRD)、发射光谱以及红外透射谱,并应用Judd-Ofelt理论,由发射光谱得到Eu3+的光谱跃迁强度参数Ω2。发现Li+共掺杂有助于提高GdTaO4∶Eu3+的发光强度,当x=0.06和0.10时,612 nm处的发光强度分别被提升了1.7倍和1.5倍。发光增加的原因是因为Li+的助熔剂效应有效提高了GdTaO4材料的结晶性能,并抑制了Gd2O3和Ta2O5杂相的产生,而非所推测的掺Li+引起了配位场对称性降低,从而导致宇称禁戒的放宽。此时Gd0.92-xLixTaO4∶Eu30.+08材料不仅结晶性能较好,而且Gd2O3和Ta2O5杂相也相对较少,故而发光增强最为明显。

关 键 词：GdTaO4∶Eu3+  Li+共掺杂  JUDD-OFELT理论 助熔剂效应  

分 类 号：O482.3]