文献类型：期刊文章

作　　者：王希涛[1] 钟顺和[1] 秦春红[1] 肖秀芬[1]

机构地区：[1]天津大学化工学院,天津市应用催化科学与工程重点实验室,天津300072

出　　处：《分子催化》

基　　金：国家自然科学基金(20806059)

年　　份：2010

卷　　号：24

期　　号：4

起止页码：358-362

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用等体积浸渍法制备了一系列ZnS-CdS/SiO2复合半导体硫化物,采用XRD、TPR、UV-vis DRS和连续流动光催化反应对半导体材料的表面结构、能带结构、光吸收性能以及光催化反应性能进行了研究.结果表明:ZnS和CdS在载体表面发生复合作用,形成了CdxZn1-xS复合物,这种复合作用与焙烧温度以及ZnS/CdS比例有关,当煅烧温度为450℃且ZnS/CdS=1时,复合作用最强;ZnS和CdS间的复合效应对半导体材料的能带结构、吸光性能以及光催化性能产生了影响.复合作用越强其光催化CO2和CH4反应性能越高.

关 键 词：复合半导体 光催化 硫化锌 硫化镉

分 类 号：O543.3[物理学类]