文献类型：期刊文章

作　　者：廖远宝[1] 徐岭[1] 杨菲[1] 刘文强[1] 刘东[1] 徐骏[1] 马忠元[1] 陈坤基[1]

机构地区：[1]南京大学物理学院,南京微结构国家实验室,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60976001和50872051);江苏省自然科学基金(批准号:BK2008253);国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB935401和2010CB934402);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20090091110010)资助的课题~~

年　　份：2010

卷　　号：59

期　　号：9

起止页码：6563-6568

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000281449800100)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000281449800100)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的结果表明:随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4薄膜逐步晶化,由非晶态转变为多晶态,表面出现均匀的、高度起伏小于10nm的突起;而对于Ge2Sb2Te5薄膜样品,其结构也从非晶态向多晶态转变,但表面形貌的变化不太明显.霍尔效应测量结果表明,无论是原始淀积的还是退火的样品,Ge1Sb2Te4薄膜的载流子浓度均比Ge2Sb2Te5高三个数量级以上,由此推论:Ge1Sb2Te4较高的电导主要来自其较大的载流子浓度.利用变温探针台测量了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5在相变前恒温条件下电阻随时间变化关系,结果表明在相同的恒温条件下Ge2Sb2Te5电阻保持时间更长,更加有利于数据的存储.

关 键 词：硫系相变材料  Ge1Sb2Te4  Ge2Sb2Te5  

分 类 号：O484.1]