文献类型：期刊文章

作　　者：高兆丰[1] 童亮[1] 高金环[1] 徐立生[1]

机构地区：[1]国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄050051

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2010

卷　　号：35

期　　号：8

起止页码：800-802

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1 460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析。在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7。用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据。

关 键 词：长期贮存  可靠性 失效率 可焊性 水汽含量

分 类 号：TN306]