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SOI—二十一世纪的微电子技术
SOI—THE MICROELECTRONICS TECHNOLOGY IN THE 21st CENTURY
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
年 份：1999
卷 号：5
期 号：1
起止页码：1-7
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊
摘 要：与体硅材料和器件比较，SOI具有许多独特的优越性，例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等，因而被称为二十一世纪的微电子技术而引起人们越来越多的关注．SOI技术正走向商业应用阶段，特别是应用于高性能、低功耗CMOS电路，抗辐照器件和高温电子器件等。本文综述了SOI材料和器件的最新进展．
关 键 词：离子注入 注氧隔离 智能剥离 SOI 硅 微电子技术
分 类 号：TN4]
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