文献类型：期刊文章

作　　者：郭立强[1] 丁建宁[1,2,3] 杨继昌[1] 程广贵[1] 凌智勇[1] 董玉忠[1]

机构地区：[1]江苏大学微纳米科学技术研究中心,江苏镇江212013 [2]江苏工业学院低维材料微纳器件与系统研究中心,江苏常州213164 [3]常州市新能源重点实验室,江苏常州213164

出　　处：《功能材料》

基　　金："青蓝工程"资助项目(2008-04);常州市工业科技攻关专项资助项目(CE2008014);常州市科技平台专项资助项目(CM2008301);江苏省科技支撑计划资助项目(BE20080030)

年　　份：2010

卷　　号：41

期　　号：A01

起止页码：76-79

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用等离子体化学气相沉积系统,在射频源和直流负偏压源的双重激励下,保持射频功率、反应室气压、衬底温度、硅烷与氢气混合比以及总流量不变,改变直流负偏压从50～250V,在康宁7059玻璃衬底上制备了本征氢化纳米硅薄膜。利用拉曼散射仪表征了不同直流负偏压条件下薄膜微结构特征;利用Shmadzu UV-2450型光谱仪测试了薄膜样品透射图谱。研究发现提高直流负偏压将导致晶态比、沉积速率发生变化。薄膜的光吸收系数和消光系数随波长增加呈下降趋势;不同晶态比薄膜的悬挂键和有效载流子浓度、致密程度、键畸变程度和悬挂键数目的差异,致使晶态比增加,薄膜的吸收系数、消光系数在波长为400nm附近依次增加,光学带隙值从1.96eV减小到1.66eV。

关 键 词：直流负偏压  消光系数 透射光谱 氢化纳米硅薄膜  

分 类 号：TN105.5] TG115.3]