文献类型：期刊文章

作　　者：周建林[1,2] 陶春兰[2]

机构地区：[1]重庆大学通信工程学院电子工程系,重庆400044 [2]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000

出　　处：《光电子．激光》

年　　份：2009

卷　　号：20

期　　号：12

起止页码：1595-1598

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20100412667570)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：采用底栅顶接触结构,研究制备了以并五苯为有源层、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为绝缘层的全有机场效应晶体管(OFET),其中绝缘层采用溶液旋涂法制备,电极采用MoO3/Al双层电极。与传统采用单一Au为电极的器件相比,采用双层电极的器件性能大幅提高,经测试,器件的迁移率达到了0.133cm2/Vs,开关电流比可以达到2.61×105。对采用MoO3修饰层提高性能的作用机理进行了详细论证。

关 键 词：有机晶体管 MOO3 双层  电极

分 类 号：TN386]