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期刊文章详细信息

双势垒磁性隧道结中电子的自旋极化输运    

Spin-polarized Transport of Electrons Tunneling Through a Double-Barrier Magnetic Tunneling Junction

  

文献类型:期刊文章

作  者:刘德[1,2] 张红梅[3] 翟利学[1]

机构地区:[1]河北师范大学物理科学与信息工程学院 [2]河北省新型薄膜材料实验室,石家庄050016 [3]河北科技大学理学院,石家庄050018

出  处:《科技导报》

基  金:国家自然科学基金项目(10974043);河北科技大学基金项目(XL200825);河北师范大学博士基金项目(L2009B02)

年  份:2010

卷  号:28

期  号:14

起止页码:70-74

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2008、CAB、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RWSKHX、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,数值计算了两端具有铁磁接触的双势垒异质结构(F/DB/F)中自旋相关的隧穿概率和自旋极化率。结果表明,隧穿概率和自旋极化率随阱宽的增加发生周期性振荡,且振荡周期不随垒厚变化;隧穿概率和自旋极化率的振荡频率随Rashba自旋轨道耦合强度的增加而增大;隧穿概率和自旋极化率的振幅和峰谷比强烈依赖于两铁磁电极中磁化方向的夹角。与铁磁/半导体/铁磁(F/S/F)磁性隧道结中的结果相比,发现随着垒厚的增加,隧穿概率和自旋极化率的峰谷比增大,自旋极化率的取值明显增大,并出现自旋劈裂和自旋翻转现象。

关 键 词:自旋极化输运 隧穿概率  自旋极化率  RASHBA自旋轨道耦合

分 类 号:O471.1]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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