文献类型：期刊文章

作　　者：陈材[1] 陈宇[1] 裴雪军[1] 康勇[1]

机构地区：[1]华中科技大学应用电子工程系

出　　处：《电力电子》

年　　份：2010

期　　号：3

起止页码：66-69

语　　种：中文

收录情况：内刊

摘　　要：由于线路杂散电感的存在,IGBT(insulated gate bipolar transistor)开通关断时将在开关管两端产生电压尖峰。为了研究其的影响,需要对线路杂散电感进行抽取。为此,本文提出一种基于IGBT开关瞬态电压、电流波形的杂散参数抽取方法。在IGBT的开通过程中,考虑了IGBT反并联二极管的反向恢复过程,并且利用由该过程引起电压尖峰进行线路的杂散电感的抽取;在IGBT的关断过程中,通过对关断波形进行了更详细的分析,给出更精确的线路杂散电感的抽取方法。最后,将该方法应用于一台75kVA的单相逆变器,实验结果证明了本方法的有效性与正确性。

关 键 词：IGBT  电压尖峰 杂散电感 反并联二极管  开通  关断  

分 类 号：TN[电子信息类]