期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]重庆大学应用物理系
基 金:国家自然科学基金
年 份:1999
卷 号:28
期 号:1
起止页码:65-68
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Si(100)衬底上热灯丝金刚石膜成核过程。在-240V和250mA下,在镜面抛光的Si(100)衬底上金刚石最大成核密度超过了1010cm-2。研究表明,负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果。
关 键 词:热灯丝CVD 金刚石薄膜 成电核子发射
分 类 号:O484.1] TQ163[物理学类]
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