文献类型：期刊文章

作　　者：韩培育[1,2] 季静佳[2,3] 朱凡[2] 王振交[2] 钱洪强[2] 李果华[1,3]

机构地区：[1]江南大学理学院,江苏无锡214122 [2]尚德电力控股有限公司,江苏无锡214028 [3]江苏省(尚德)光伏技术研究院,江苏无锡214028

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2010

卷　　号：35

期　　号：7

起止页码：680-683

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：首先使用工业型Direct-PECVD设备,采用SiH4和N2O制备了SiOx薄膜。针对Si太阳电池的应用,比较了SiOx薄膜在不同射频功率、气压、气体流量比和温度下的沉积特性,得出了最佳的沉积条件,这些沉积特性包括沉积速率、折射率和腐蚀速率。在该条件下沉积的SiOx膜均匀性良好、结构致密、沉积速率稳定,其性能满足了现阶段Si太阳电池对减反钝化层的光学和电学性能方面的要求。然后制备了SiOx-SiNx叠层减反钝化膜,并比较了SiO2与SiNx单层膜的减反和钝化效果,结果显示SiOx-SiNx叠层膜在不增加反射率的同时显著提高了Si片的钝化效果。

关 键 词：晶体硅太阳电池 氧化硅 减反  钝化

分 类 号：TN914.4]