期刊文章详细信息
一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源
A Simple CMOS Bandgap Voltage Reference with High PSRR
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
年 份：1999
卷 号：29
期 号：2
起止页码：128-131
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：介绍了一个采用０．６μｍ数字ＣＭＯＳ工艺制作的能隙基准电压源电路，该电路具有小的硅片面积（０．０６ｍｍ２）、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度电路的偏置系统时，还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路。
关 键 词：能隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 IC
分 类 号：TN432.05]
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