文献类型：期刊文章

作　　者：戈芳[1,2] 曹瑞国[1] 朱斌[1] 李经建[1] 徐东升[1]

机构地区：[1]北京大学化学与分子工程学院、分子动态与稳态结构国家重点实验室、北京分子科学国家实验室,北京100871 [2]三明学院化学与生物工程系,福建三明365004

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(20573008,50821061);国家重点基础研究项目特别基金(2006CB806102);国家重点基础研究发展计划项目(973)(2007CB936201)资助项目~~

年　　份：2010

卷　　号：26

期　　号：7

起止页码：1779-1783

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000279776400008)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000279776400008)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过自组装方法将修饰有二茂铁基团的富T序列DNA分子(DNA-Fc)固定在金电极表面,得到了一种基于DNA修饰电极的电化学汞离子(Hg2+)传感器.当溶液中有Hg2+存在时,Hg2+可与修饰电极上DNA的T碱基发生较强的特异结合,形成T-Hg2+-T发卡结构,使DNA分子构象发生改变,其末端具有电化学活性的二茂铁基团远离电极表面,电化学响应随之发生变化.示差脉冲伏安法(DPV)结果显示:DNA末端二茂铁基团的还原峰在0.26V(vs饱和甘汞电极(SCE))附近,峰电流随溶液中Hg2+浓度的增加而降低;Hg2+浓度范围在0.1nmol·L-1-1μmol·L-1时,电流相对变化率与Hg2+浓度的对数呈现良好的线性关系.该修饰电极对Hg2+的检测限为0.1nmol·L-1,可作为痕量Hg2+检测的电化学生物传感器.干扰实验也表明,该传感器对Hg2+具有良好的特异性与灵敏度.

关 键 词：生物传感器 Hg2+  DNA  构象变化 示差脉冲伏安法 电化学阻抗谱

分 类 号：O646.54]