文献类型：期刊文章

作　　者：王渠东[1] 丁文江[1] 翟春泉[1] 徐小平[1] 金俊泽[2]

机构地区：[1]上海交通大学材料科学与工程学院 [2]大连理工大学铸造工程研究中心

出　　处：《上海交通大学学报》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1999

卷　　号：33

期　　号：2

起止页码：142-145

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1999454800187)、IC、INSPEC、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用离心倾液法研究过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金初晶Ｓｉ的生长形貌时发现，初晶Ｓｉ存在生长台阶，台阶的高度为数十至数百微米，从初晶Ｓｉ根部至尖端，台阶的高度逐渐变小，初晶Ｓｉ存在位错台阶生长机制．这一生长机制能够形成棱柱体或棱锥体、八面体和球形初晶Ｓｉ，以及产生初晶Ｓｉ的分枝和形成初晶Ｓｉ的生长迹线．

关 键 词：离心倾液法  台阶生长  初晶硅 铝硅合金

分 类 号：TG146.21[材料类]