文献类型：期刊文章

作　　者：徐天宁[1,2] 吴惠桢[1] 张莹莹[1] 王雄[1] 朱夏明[1] 原子健[1]

机构地区：[1]浙江大学物理系,现代光学仪器国家重点实验室,杭州310027 [2]浙江工业大学之江学院理学系,杭州310024

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60676003);浙江省自然科学基金(批准号:Z406092)资助的课题~~

年　　份：2010

卷　　号：59

期　　号：7

起止页码：5018-5022

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000280168700094)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000280168700094)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜.该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33nm.利用光刻工艺制作了以In2O3晶体薄膜为沟道层的底栅式薄膜晶体管.In2O3薄膜晶体管具有良好的栅压调制特性,场效应迁移率达到6.3cm2/(V·s),开关电流比为3×103,阈值电压为-0.9V.结果表明,In2O3薄膜晶体管在新型平板显示领域具有潜在的应用前景.

关 键 词：In2O3晶体薄膜  磁控溅射 薄膜晶体管 场效应迁移率

分 类 号：TN321.5]