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纳米硅薄膜研究的最新进展 ( EI收录)
Research & Development on Fabrications、 Structures and Properties of Nanometer Silicon Film Materials
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北大学电子与信息工程学院 [2]北京航空航天大学材料物理与化学研究中心
基 金：国家自然科学基金;河北省自然科学基金
年 份：1999
卷 号：23
期 号：1
起止页码：42-55
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：纳米硅薄膜（ｎｃＳｉ∶Ｈ）是一种新型低维人工半导体材料，它具有新颖的结构特征与独特的物理性质。综合评述了这种材料在制备方法、结构特征、输运性质和发光特性等方面的最新研究进展，并指出了今后的发展方向。
关 键 词：纳米硅薄膜 制备方法 结构特征 输运性质 半导体
分 类 号：TN304.12]
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