期刊文章详细信息
AlN基稀磁半导体的研究进展 ( EI收录)
Recent Progress of AlN-based Diluted Magnetic Semiconductor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南昌大学共青学院工程技术系,九江332020 [2]重庆大学数理学院,重庆400030
年 份：2010
卷 号：24
期 号：1
起止页码：304-306
语 种：中文
收录情况：EI、IC、JST、SCOPUS、普通刊
摘 要：主要介绍了AlN基稀磁半导体(DMS)的研究进展,包括其发展过程、AlN基DMS的研究现状,描述了理想的AlN基DMS材料应具备的特征,并展望了其未来的研究方向。
关 键 词：ALN 稀磁半导体 居里温度 掺杂 过渡元素
分 类 号：TN304.7]
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