期刊文章详细信息
基于CMOS工艺的全芯片ESD保护电路设计
Design of All Chip ESD Protection Circuit Based on CMOS Process
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]重庆科技学院数理系,重庆401331 [2]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
年 份：2010
卷 号：40
期 号：3
起止页码：396-399
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：介绍了几种常用ESD保护器件的特点和工作原理,通过分析各种ESD放电情况,对如何选择ESD保护器件,以及如何设计静电泄放通路进行了深入研究,提出了全芯片ESD保护电路设计方案,并在XFAB 0.6μm CMOS工艺上设计了测试芯片。测试结果表明,芯片的ESD失效电压达到5 kV。
关 键 词：CMOS ESD 全芯片ESD保护
分 类 号：TN432]
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