文献类型：期刊文章

作　　者：李艳花[1] 傅毛生[1] 危亮华[1] 周雪珍[1] 周新木[1] 李永绣[1]

机构地区：[1]南昌大学稀土与微纳功能材料研究中心,化学系,江西南昌330031

出　　处：《中国稀土学报》

基　　金：国家自然科学基金(20161004);江西省主要学科学术带头人计划(2007DD00800);江西省自然科学基金(0620046)资助

年　　份：2010

卷　　号：28

期　　号：3

起止页码：316-321

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以硝酸铈为原料,十二烷基苯磺酸钠为分散剂,过氧化氢为氧化剂,氨水为沉淀剂,采用直接沉淀法制备了粒径分布均匀的纳米氧化铈粉体,并通过XRD,TEM等手段对粉体进行了表征。采用所制备的氧化铈粉体配置成抛光浆料对硅片进行抛光,研究了浆料pH值、固含量及过氧化氢浓度对n型半导体硅晶片(111)晶面抛光性能的影响。确定了最佳的抛光条件为:pH值10.5,含固量为0.5%,过氧化氢体积分数为1.5%,此时的抛光速率为61.1 nm.min-1,所抛光的硅晶片的表面粗糙度为0.148 nm。

关 键 词：纳米CeO2粉体  化学机械抛光 材料去除速率  硅晶片 稀土

分 类 号：O614.33] O614.41[化学类]