文献类型：期刊文章

作　　者：杨瑞霞[1,2] 胡恺生[1,2] 周智慧[1,2] 郭小兵[1,2]

机构地区：[1]河北工业大学电子系 [2]天津电子材料研究所

出　　处：《光谱学与光谱分析》

年　　份：1999

卷　　号：19

期　　号：1

起止页码：22-24

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000082639500008)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱，在０．４０～０．７０ｅＶ范围发现了一个光响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰，其中０．４６、０．４９、０．５６和０．６９ｅＶ峰的起始阈值分别为０．４４、０．４７、０．５１和０．６７ｅＶ。本文讨论了Ｍ１带的起源，提出了０．４４、０．４７和０．５１ｅＶ光电离阈值与铜受主、ＥＬ３和氧施主间的可能联系，并研究了Ｍ１带与ＧａＡｓ场效应晶体管漏－源电流光响应特性的关系。

关 键 词：LECSIGaAs  光电流谱 场效应晶体管 砷化镓

分 类 号：TN304.23] TN325.3