期刊文章详细信息
半导体中电子和空穴的统计平衡分布
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]沈阳师范大学物理科学与技术学院电子信息工程系,辽宁沈阳110034
年 份：2010
卷 号：3
期 号：8
起止页码：37-37
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：半导体的电导率直接依赖于导带中电子和价带中的空穴的多少。电子在半导体中各能级上如何分布的问题是个基本的问题。在热平衡的半导体中,电子和空穴依赖于热激发产生。平衡时电子在各能级上的分布服从一定的统计规律,它与激发电子和空穴的具体过程无关。讨论包括有杂质在内的平衡的半导体中电子和空穴的数目及其随温度的变化。
关 键 词：半导体 统计 分布 载流子 导带电子 价带空穴
分 类 号：TN3]
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