期刊文章详细信息
绝缘栅双极晶体管的设计要点
The Key Design Points of Insulated Gate Bipolar Transistor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]江苏宏微科技有限公司,江苏常州213022
年 份：2010
卷 号：44
期 号：1
起止页码：1-3
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2008、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：介绍了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基本结构和工作原理;讨论了IGBT各关键参数和结构设计中需要考虑的主要问题;分析了IGBT设计中需要协调的几对矛盾参数的关系以及影响IGBT可靠性的关键因素。
关 键 词：绝缘栅双极晶体管 关键参数 结构设计 可靠性
分 类 号：TN6]
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