文献类型：期刊文章

作　　者：任国燕 李冰夕

REN Guo-yan, LI Bing-xi （1.Chongqing University of Science and Technology,Chongqing, 401331, China; 2.（Department of Electrical and Computer Engineering University of Windsor, Windsor, Ontario N9B3P4, Canada）

机构地区：重庆科技学院电气与信息工程学院 N983P4 加拿大温莎大学电子与计算机工程系

出　　处：《微计算机信息》

年　　份：2010

期　　号：17

起止页码：179-181

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：由单电子晶体管（single—electron transistor，简称SET）构成的存储器具有体积小、容量大、功率消耗低等优点，可望成为继CMOS存储器之后纳米级的新型存储器。本文介绍了几种基于单电子晶体管的存储单元结构，并以单电子陷阱存储单元为例，提出了一个存储器参数优化选择的计算方法，能够改进器件的工作可靠性。利用SIMON仿真器还对这些单电子存储器进行了比较研究。

关 键 词：单电子晶体管 单电子存储器 电子陷阱

分 类 号：TN403]