文献类型：期刊文章

作　　者：韩茹[1] 樊晓桠[1] 杨银堂[2]

机构地区：[1]西北工业大学计算机学院,航空微电子中心 [2]西安电子科技大学微电子学院,西安710071

出　　处：《物理学报》

年　　份：2010

卷　　号：59

期　　号：6

起止页码：4261-4266

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000278672300093)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000278672300093)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：测量了采用离子注入法得到掺N的n-SiC晶体从100—450K的拉曼光谱.研究了SiC一级拉曼谱、电子拉曼散射谱及二级拉曼谱的温度效应.实验结果表明,大部分SiC一级拉曼峰会随温度升高向低波数方向移动,但声学模红移(峰值位置向低频方向移动)的幅度较光学模小.重掺杂4H-SiC的纵光学声子等离子体激元耦合(LOPC)模频率随温度升高表现出先蓝移(峰值位置向高频方向移动)后红移的变化趋势,表明LOPC模的温度特性不仅会受到非简谐效应的影响,还与实际已离化杂质浓度有关.电子拉曼散射峰线宽随温度升高而增大,强度随温度升高而减弱,但其峰值位置基本不变.二级拉曼谱的红移不如一级拉曼谱明显,但其峰值强度却随着温度的升高显示出明显下降的趋势.

关 键 词：碳化硅 温度 纵光学声子等离子体激元耦合模  电子拉曼散射  

分 类 号：O473]