文献类型：期刊文章

作　　者：包伯成[1,2] 刘中[1] 许建平[3]

机构地区：[1]南京理工大学电子工程系,南京210094 [2]江苏技术师范学院电气信息工程学院,常州213001 [3]西南交通大学电气工程学院,成都610031

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60971090);江苏省自然科学基金(批准号:BK2009105)资助的课题~~

年　　份：2010

卷　　号：59

期　　号：6

起止页码：3785-3793

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000278672300024)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000278672300024)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：忆阻器(memristor)是一种有记忆功能的非线性电阻器,它是除电阻器、电容器和电感器之外的第四种基本电路元件.采用一个具有光滑磁控特性曲线的忆阻器和一个负电导替换蔡氏振荡器中的蔡氏二极管,导出了一个基于忆阻器的振荡器电路.采用常规的动力学分析手段研究了电路参数和初始条件变化时该光滑忆阻振荡器的动力学特性.研究结果表明,光滑忆阻振荡器与一般的混沌系统完全不同,它的动力学行为除了与电路参数有关外,还极端依赖于电路的初始条件,存在瞬态混沌和状态转移等奇异的非线性物理现象.

关 键 词：忆阻振荡器  初始条件  动力学行为 瞬态混沌  

分 类 号：TN752]