文献类型：期刊文章

作　　者：丁建宁[1,2,3] 高晓妮[1] 袁宁一[2,3] 程广贵[1] 郭立强[1]

机构地区：[1]江苏大学微米纳米科学技术研究中心,江苏镇江212013 [2]江苏工业学院低维材料微纳器件与系统研究中心,江苏常州213164 [3]常州市新能源工程重点实验室,江苏常州213164

出　　处：《江苏大学学报（自然科学版）》

基　　金：江苏省教育厅"青蓝工程"项目(2008-04);常州市工业科技攻关专项(CE2008014);江苏省科技支撑计划项目(BE20080030;BE2009028)

年　　份：2010

卷　　号：31

期　　号：3

起止页码：300-303

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAB、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、EI(收录号：20102513031164)、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：通过改变反应气体中硅烷体积分数,采用直流偏压辅助等离子体化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积本征氢化纳米硅薄膜.使用拉曼光谱仪、原子力学显微镜和紫外可见光透射仪对薄膜进行测试,研究不同硅烷体积分数对薄膜微结构和光学性能的影响.结果表明:当硅烷体积分数增加,晶粒尺寸增加,而晶态含量却随之下降.晶态含量的降低,使拉曼光谱中谱峰的强度降低,峰位发生蓝移,薄膜有序性随之降低;而且薄膜的光学禁带宽度随硅烷体积分数的增加而增加.当硅烷体积分数为1.3%时,沉积本征氢化纳米硅薄膜,薄膜中晶粒分布均匀,其生长存在取向性.此时晶态含量约为50%,晶粒尺寸约为2.6 nm;薄膜具有较大的光学禁带宽度,为1.702 eV,以及较高的电导率.

关 键 词：纳米硅薄膜 晶态含量  晶粒尺寸 光学禁带宽度  电导率  

分 类 号：Q945[植物生产类]