文献类型：期刊文章

作　　者：张彦鑫[1] 王警卫[1] 吴迪[2] 杨凯[2] 马幼龙[3] 刘兴胜[1,2]

机构地区：[1]中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西西安710119 [2]西安炬光科技有限公司,陕西西安710119 [3]上海交通大学理学院,上海200240

出　　处：《中国激光》

基　　金：中国科学院"百人计划"项目资助课题

年　　份：2010

卷　　号：37

期　　号：5

起止页码：1186-1191

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20102413003957)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了一种新型808 nm大功率单发射腔半导体激光器(F-mount)。该激光器采用不同于商业化单发射腔半导体激光器的C-mount封装结构设计,散热效果更好。在20℃连续波(CW)运转条件下最大输出功率可达到13.3 W,并且重复实验并未产生光学腔面损伤(COMD)。在准连续波(QCW)条件下最大功率可达到30.8 W。通过实验得出该器件的波长漂移系数为0.278 nm/℃,热阻为3.18 K/W,室温下阈值电流特征温度为135 K,室温下斜率效率特征温度为743 K。实验结果表明,该激光器在散热方面优于常用的C-mount封装型单发射腔半导体激光器,并且具有较小的热阻,能够实现更高的功率输出。

关 键 词：激光器 半导体激光器 高功率 单发射腔  热阻 特征温度  

分 类 号：TN248.4]