文献类型：期刊文章

作　　者：孟腾飞[1] 武跃龙[1] 姬中华[1] 武寄洲[1] 赵延霆[1] 贾锁堂[1]

机构地区：[1]山西大学物理电子工程学院量子光学与光量子器件国家重点实验室,山西太原030006

出　　处：《中国激光》

基　　金：国家973计划(2006CB921603);国家自然科学基金(60808009,60978018);国家基础科学人才培养基金(J0730317);山西省自然科学基金(2008011004);新教师基金(200801081021);山西省回国留学基金资助课题

年　　份：2010

卷　　号：37

期　　号：5

起止页码：1182-1185

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20102413003956)、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用饱和吸收的方法得到了铯分子在780 nm附近X1Σg+→B1Πu能级跃迁吸收带的一段饱和吸收谱,利用铷87Rb原子饱和吸收谱的5S1/2(F=2)→5P3/2(F′=2)的跃迁线为标准确定这一段饱和吸收谱的位置。实验中对其中的5条吸收峰进行了仔细观测,利用其中的一条饱和吸收峰"R5"对780 nm半导体激光器进行了稳频。测得稳频后的激光在800 s内频率的漂移小于1.5 MHz,从而提供了一种利用铯分子饱和吸收峰对780 nm半导体激光器进行稳频的新方法。此激光可以用于制备超冷基态铯分子,同时也可作为光通信波段1560 nm处的倍频参考光。

关 键 词：激光光学 稳频 饱和吸收光谱  铯分子  半导体激光器

分 类 号：TN248.4]