期刊文章详细信息
GaN——第三代半导体的曙光 ( EI收录)
GaN Dawn of 3rd Generation Semiconductors
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]电子工业部第十三研究所
出 处：《Journal of Semiconductors》
年 份：1999
卷 号：20
期 号：2
起止页码：89-99
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：自从蓝色ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤｓ研制成功之后，氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星．简要介绍了ＧａＮ的基本特性．探讨了材料的生长技术，包括衬底的选择和外延方法．最后给出了ＧａＮ基器件，如ＬＥＤｓ、ＬＤｓ、ＦＥＴｓ和探测器等的发展现状，同时描绘了氮化物器件的应用领域和未来的发展前景．
关 键 词：氮化镓 化合物半导体 宽带隙 半导体材料
分 类 号：TN304.23]
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