文献类型：期刊文章

作　　者：赵永军[1] 王民娟[1] 杨拥军[1] 梁春广[1]

机构地区：[1]电子部第13研究所,石家庄050002

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：1999

卷　　号：20

期　　号：3

起止页码：183-187

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：等离子增强化学气相淀积 ( Plasma- enhanced Chemical Vaper Deposition,PECVD)Si Nx 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要 .它的一个重要的物理参数——机械应力 ,也逐渐被人们所重视 .本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系 .讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理 .通过工艺条件的合理选择 ,做出了 0 .8～ 1 .0 μm厚的无应力的 PECVD Si Nx

关 键 词：氮化硅 PECVD法 薄膜应力

分 类 号：TN304.24]