期刊文章详细信息
基于NI Multisim 10与LabVIEW的单结晶体管伏安特性测试
Volt-ampere Characteristic Testing of Unijunction Transistor Based on NI Multisim 10 and LabVIEW
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]上海海事大学高等技术学院,上海200136
年 份：2010
卷 号：33
期 号：10
起止页码：149-151
语 种：中文
收录情况：IC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要：在传统的单结晶体管伏安特性测试实验中,通常需要直流电源与晶体管图示仪配合使用。晶体管图示仪没有相应的器件插孔,测试很不方便。另外,因晶体管图示仪的频率特性低,无法显示单结晶体管伏安特性的负阻区,给理解其特性曲线带来了困难。为了降低实验成本,简化实验操作过程,采用虚拟仪器技术设计单结晶体管伏安特性测试仪,可以完整地显示其特性曲线,且方便于读取峰点与谷点的电压与电流值。
关 键 词：单结晶体管 伏安特性 MULTISIM10 虚拟仪器 LABVIEW
分 类 号：TP274]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
