文献类型：期刊文章

作　　者：严婷婷[1] 张光春[2,3] 李果华[1,3] 汪义川[2,3] 陈如龙[2] 李波[4]

机构地区：[1]江南大学理学院,江苏无锡214122 [2]尚德电力控股有限公司,江苏无锡214028 [3]江苏省(尚德)光伏技术研究院,江苏无锡214028 [4]3i系统有限公司,广东肇庆526020

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2010

卷　　号：35

期　　号：5

起止页码：454-457

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：太阳电池的缺陷往往限制了其光电转化效率和使用寿命。利用光致发光原理获取晶体Si太阳电池的荧光照片,用以诊断其缺陷。外界的光能在Si中被吸收,产生非平衡少数载流子,而一部分载流子的复合是以发光形式来完成的。发出的光子可以被灵敏的CCD相机获得,得到太阳电池的辐射复合分布图像。这种光强分布反映出非平衡少数载流子的数目分布,裂痕和缺陷处表现为较低的光致发光强度。这里关注的是单晶Si太阳电池的检验。在室温条件下电池的裂痕和缺陷可以快速予以检测,验证了"光致发光效应"有潜力成为流水线式检测产品的手段。

关 键 词：晶体硅太阳电池 光致发光 缺陷  检测  

分 类 号：O439]