文献类型：期刊文章

作　　者：陶涛[1] 苏辉[1] 谢自力[1] 张荣[1] 刘斌[1] 修向前[1] 李毅[1] 韩平[1] 施毅[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家重点基础研究发展规划(2006CB6049);国家高技术研究发展规划(2006AA03A);国家自然科学基金(60721063;60676057;60731160628;60820106003;60990311);江苏省自然科学基金(BK2008019);南京大学扬州光电研究院研发基金

年　　份：2010

卷　　号：47

期　　号：5

起止页码：267-272

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面形貌。结果表明,温度和射频功率是影响薄膜生长速率的主要因素,生长速率变化幅度可以达到230nm/min甚至更高。对于薄膜折射率和成分影响最大的是NH3流量,折射率变化范围可以达到2.7～1.86。分析得出受工艺参数调控的薄膜生长速率对薄膜的性质有重要影响。

关 键 词：等离子体增强化学气相沉积法  氮化硅薄膜 生长速率 折射率 硅衬底

分 类 号：TN304.240] TN304.055