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SOI技术的发展思路
Development Strategies with SOI Technology
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]同济大学电子科学与技术系,上海201804
年 份：2010
卷 号：33
期 号：2
起止页码：193-196
语 种：中文
收录情况：CAS、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊
摘 要：对SOI技术的发展情况进行了概述。在此基础上,提出了新形势下SOI技术的发展思路。为了充分发挥SOI技术的优势,主要的思路是对影响器件稳定性的因素采取抑制方法、通过新结构和新材料的研究来应对硅基集成电路的固有弱点、通过关键技术攻关来应对SOI技术应用于射频及模拟和M/S电路时的物理模型问题、通过创新来推进SOI技术与新技术领域的融合。
关 键 词：SOI(siliconon Insulator) 浮体效应 自加热效应 阈值漂移 辐射加固
分 类 号：TN386]
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