文献类型：期刊文章

作　　者：蒋敏[1] 吴定才[1] 魏琴[1] 刘方舒[2] 吴艳南[1] 张佩佩[1] 纪红萱[1] 徐明[1]

机构地区：[1]四川师范大学物理与电子工程学院&固体物理研究所,成都610068 [2]攀枝花学院材料工程系,四川攀枝花617000

出　　处：《半导体光电》

年　　份：2010

卷　　号：31

期　　号：2

起止页码：266-269

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。用显微镜和X射线衍射(XRD)研究了Cu掺杂对ZnO薄膜形貌和微结构的影响。结果表明,制备得到的ZnO薄膜具有应变小和c轴择优取向。室温下测量了样品Zn1-xCuxO的光致发光(PL)谱,发现所有样品的PL谱中均观察到435nm左右的蓝光发光带,发光带强度与Cu的掺杂量有关;当x=0.06时,Zn1-xCuxO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光发射。分析了掺杂量对发光性能的影响,并对样品的发光机制进行了探讨,推断出蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位(VZn)能级的跃迁及锌填隙(Zni)能级到价带顶的跃迁,它们可通过改变Cu的掺杂量予以控制。

关 键 词：Zn1-xCuxO薄膜  溶胶-凝胶 CU掺杂 光致发光

分 类 号：O484.41]