文献类型：期刊文章

作　　者：罗子江[1,2] 周勋[1,3] 杨再荣[1] 贺业全[1] 何浩[1] 邓朝勇[1] 丁召[1]

机构地区：[1]贵州大学理学院,贵州贵阳550025 [2]贵州财经学院教育管理学院,贵州贵阳550004 [3]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州贵阳550001

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60886001);贵州省委组织部高层人才科研特助资助项目(Z073011);贵州省科技厅基金资助项目(Z073085);贵州大学博士基金资助项目(X060031);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金资助项目([2009]114)

年　　份：2010

卷　　号：41

期　　号：4

起止页码：704-708

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20102212974634)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品。完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs。利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体。

关 键 词：MBE RHEED图像  粗糙化  EDS GaAs表面重构  

分 类 号：TN3] O47]