文献类型：期刊文章

作　　者：颜艳明[1] 应鹏展[1] 崔教林[2] 付红[1] 张晓军[1]

机构地区：[1]中国矿业大学材料科学与工程学院,江苏徐州221116 [2]宁波工程学院材料研究所,浙江宁波315016

出　　处：《材料科学与工程学报》

基　　金：National Natural Science Foundation of China under(50871056);the National ‘863’ Hi tech.Program of China(2009AA03Z322)

年　　份：2010

卷　　号：28

期　　号：2

起止页码：312-316

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率,因而有良好的电学性能。本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金,并在320K到706K的温度范围内测量其热电性能。显微结构观察表明,In-Sb-Ge三元合金的微观组织由嵌入含锗相的锑化铟相组成,这一结果与X射线衍射分析的结果相符。性能测试表明,其晶格热导率在整个温度范围内都非常低,尤其在低温下更低,而载流子热导率随温度的升高,从6.3(W.m-1.K-1)降低到2.4(W.m-1.K-1),在热传输过程中起主要作用。在708K时In10Sb10Ge合金的最高ZT值为0.18。

关 键 词：热电性能 In10Sb10Ge三元合金  放电等离子烧结

分 类 号：O472.7]