文献类型：期刊文章

作　　者：靳瑞敏[1,2] 王玉仓[3] 陈兰莉[1] 罗鹏辉[1] 郭新峰[1] 卢景霄[2]

机构地区：[1]南阳理工学院太阳能电池研究所,南阳473000 [2]郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州450052 [3]南阳医学高等专科学校,南阳473004

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家高技术产业计划项目(发改办高技072490);河南省基础与前沿基础研究项目(072300410310)

年　　份：2010

卷　　号：24

期　　号：6

起止页码：89-91

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点。

关 键 词：PECVD法 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 二次晶化  拉曼光谱 扫描电镜

分 类 号：TB383[材料类]