文献类型：期刊文章

作　　者：周建林[1] 黄智勇[1] 甘平[1] 王靖[1] 郭瑜[1]

机构地区：[1]重庆大学通信工程学院电子工程系,重庆400044

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60676033)

年　　份：2010

卷　　号：21

期　　号：4

起止页码：516-519

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20102112950803)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：采用顶接触结构分别在SiO2、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)绝缘层上制备了以并五苯为有源层的两种有机场效应晶体管(OFET),其中SiO2绝缘层采用热生长法制备,PMMA绝缘层采用溶液旋涂法制备。与常规基于无机绝缘层的器件相比,采用聚合物为绝缘层后,不但器件的制作工艺简化和成本降低,而且器件性能大幅提高,经测试,器件的迁移率提到0.153cm2/Vs,而阈值电压降低6V。采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等对器件性能提高的原因进行了详细分析。

关 键 词：有机晶体管 并五苯 绝缘层 聚合物  

分 类 号：TN386]