文献类型：期刊文章

作　　者：张俊兵[1] 林岳明[2] 范玉佩[1] 王书昶[1] 曾祥华[1]

机构地区：[1]扬州大学物理科学与技术学院,江苏扬州225002 [2]扬州华夏集成光电有限公司,江苏扬州225009

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：江苏省科技项目资助项目(BG2007026)

年　　份：2010

卷　　号：21

期　　号：3

起止页码：359-362

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20102112949992)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。

关 键 词：GaN基发光二极管(LED)  图形蓝宝石衬底(PSS)  光提取效率 ICP

分 类 号：TN312.8]