文献类型：期刊文章

作　　者：戴振清[1,2] 杨瑞霞[3]

机构地区：[1]河北科技师范学院数理系,河北秦皇岛066600 [2]河北科技师范学院凝聚态物理研究所,河北秦皇岛066600 [3]河北工业大学信息工程学院,天津300401

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：河北科技师范学院博士基金资助项目

年　　份：2010

卷　　号：30

期　　号：1

起止页码：150-154

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基态施主能级分裂因素被引入了SiC基MOS电容模型。考虑到能级分裂后,电容C-V特性曲线平带附近的Kink效应,得到有效减弱;并且能级分裂对C-V特性的影响,随掺杂浓度的增加和温度的降低而增强,同时也与杂质能级深度相关。对于耗尽区和弱积累区,由于能级分裂的影响,电容的表面电荷面密度将分别有所增加和降低。

关 键 词：基态施主能级分裂  碳化硅 金属氧化物半导体电容  电容-电压特性 表面电荷

分 类 号：TN386.1]