期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]中国地质大学数学与物理学院,材料模拟与计算物理研究所,武汉430074
基 金:湖北省"楚天学者"特聘教授研究基金(005-14001318);湖北省杰出青年基金(2006ABB031);教育部回国留学人员科研启动基金(2006:331)资助项目~~
年 份:2010
卷 号:26
期 号:3
起止页码:763-768
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号:WOS:000275806300039)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000275806300039)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:采用密度泛函理论及赝势平面波方法,对未掺杂SnO2以及过渡金属V、Cr、Mn掺杂SnO2的超原胞体系进行了几何优化,计算了晶格常数、电子结构与磁学性质.结果表明,6.25%与12.5%两种掺杂浓度时,体系的电子自旋和磁学性质没有发生很大的变化;相对于未掺杂SnO2,过渡金属掺杂后SnO2中O原子有向过渡金属移动的趋势,并使得O与掺杂金属之间键长变短;在V和Cr掺杂后,SnO2具有半金属性质,而Mn掺杂SnO2没有发现上述性质.6.25%与12.5%的杂质浓度对自旋和磁矩影响不大,掺杂产生的磁矩主要来自于过渡金属3d电子态,且磁矩的大小与过渡金属的电子排布有关.V、Cr、Mn掺杂SnO2后的总磁矩分别为0.94μB、2.02μB、3.00μB.磁矩主要来源于过渡金属3d轨道的自旋极化,当O原子出现负磁矩的时候,还有很小一部分磁矩来源于临近过渡金属的Sn原子.
关 键 词:密度泛函理论 SNO2 过渡金属 掺杂 磁性
分 类 号:O614.432]
参考文献:
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引证文献:
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