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直流磁控溅射制备氧化钒薄膜
Study on VOX films prepared by DC magnetron sputtering
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]西安工业大学光电微系统研究所,西安710032
年 份：2010
卷 号：36
期 号：1
起止页码：151-154
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：讨论了在低温下以高纯金属钒作靶材,用直流磁控溅射的方法制备出了氧化钒薄膜。通过设计正交试验,分析了氩气和氧气的流量比,溅射功率,工作压强,基底温度对氧化钒薄膜沉积速率和电阻温度系数TCR的影响,采用RTP-500型快速热处理机对氧化钒薄膜样品进行了退火热处理,实验结果表明:当Ar与O2的比例为100:4,溅射功率为120W,工作压强为2Pa时,所获得薄膜TCR较大,都在-2%/K附近,最高的可达-3.6%/K。
关 键 词：直流磁控溅射 氧化钒薄膜 电阻温度系数
分 类 号：O484.1]
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