文献类型：期刊文章

作　　者：王思浩[1,2] 鲁庆[1] 王文华[1] 安霞[1] 黄如[1]

机构地区：[1]北京大学微电子学深圳研究院,集成微系统重点实验室,北京100871 [2]长春理工大学微电子系,长春130022

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60836004,60625403);国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302701)资助的课题~~

年　　份：2010

卷　　号：59

期　　号：3

起止页码：1970-1976

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000276004500085)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000276004500085)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量<500krad情况下,超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺杂器件的泄漏电流低2—3个量级;而在辐照剂量>500krad情况下,由于器件俘获的空穴量饱和,超陡倒掺杂的改善没有那么明显.但超陡倒掺杂的阈值电压漂移量比均匀掺杂的情况小约40mV.超陡倒掺杂有利于改善器件的总剂量辐照特性.文中还给出了用于改善器件辐照特性的超陡倒掺杂分布的优化设计,为超深亚微米器件抗辐照加固提供了依据.

关 键 词：总剂量效应 超陡倒掺杂  泄漏电流  抗辐射加固.  

分 类 号：TN386]