文献类型：期刊文章

作　　者：周小兵[1] 盛光昭[1] 冯开明[1] 朱毓坤[1] 何开辉[1] 龚学余[2]

机构地区：[1]核工业西南物理研究院 [2]中南工学院技术物理系

出　　处：《核聚变与等离子体物理》

基　　金：国家自然科学基金;核工业科学基金

年　　份：1998

卷　　号：18

期　　号：4

起止页码：15-20

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：讨论了偏滤器铍靶在聚变堆工况下的腐蚀问题。被物理溅射和辐射增强升华等过程腐蚀了的铍原子经电离后，部分将沉积到铍靶上。分析计算的结果表明，铍靶材被腐蚀后的自沉积将大大降低铍靶的净腐蚀率。在此基础上，研究了一定浓度的硼杂质的沉积对铍靶的腐蚀率的影响，结果发现，铍靶前很低浓度的硼杂质即可大大降低铍靶的腐蚀率，并且铍靶的腐蚀率随硼杂质浓度的增加而减少，这对聚变堆的稳态运行是有利的。

关 键 词：偏滤器 腐蚀  沉积  靶材寿命  聚变堆

分 类 号：TL626] TL64