期刊文章详细信息
硅片减薄技术研究
The Study on Silicon Grinding Technology
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京微电子技术研究所,北京100000
年 份：2010
卷 号：10
期 号：3
起止页码：9-13
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,越来越多的薄芯片将会出现在封装中。此外薄芯片可以提高器件在散热、机械等方面的性能,降低功率器件的电阻。因此,硅片减薄的地位越来越重要。文章简要介绍了减薄的几种方法,并对两种不同研磨减薄技术的优缺点进行了对比。此外,从影响减薄质量的因素如主轴转速、研磨速度及所使用的保护膜等几方面进行了实验的验证,分析了不同参数对质量的影响效果。并根据减薄后的质量情况,使用统计方法,对减薄的过程进行了监控。
关 键 词：硅片 背面减薄 研磨
分 类 号：TN305.94]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
